Китайские учёные нашли путь к 3-нм чипам в обход санкций и EUV-литографии
Китайские учёные нашли путь к 3-нм чипам в обход санкций и EUV-литографии Китайские учёные разработали предварительный способ создавать 3-нм транзисторы с помощью DUV-литографии, без запрещённого доступа к EUV-оборудованию ASML. Для этого предлагают использовать GAA-конструкцию и многократно наносить рисунок на пластины, что сильно усложняет и удорожает производство. До массового выпуска ещё далеко: нужно проверить технологию на реальных линиях, наладить межсоединения и повысить выход годных чипов. Параллельно Huawei ищет способы добиться плотности транзисторов уровня 1,4 нм за счёт архитектуры, а не физического перехода на такой техпроцесс. #китайскиетехнологии #полупроводники #duv #euv https://3dnews.ru/1148759?utm_source=nova&utm_medium=max