💾 Micron анонсировала 3D NAND G11 с более чем 400 слоями памяти
💾 Micron анонсировала 3D NAND G11 с более чем 400 слоями памяти Компания представила новое поколение флеш-памяти, пропустив G10. По сравнению с 276-слойной G9, новинка получит примерно вдвое большую плотность хранения данных. По заявлению Micron, скорость интерфейса вырастет до 50%, а затраты энергии на передачу одного бита снизятся более чем на 25%. Для достижения этих показателей компания применит технологию Wafer-on-Wafer Bonding, при которой массив ячеек и управляющая логика изготавливаются отдельно, а затем соединяются. Ожидаемая скорость интерфейса составляет до 5,4 Гбит/с против 3,6 Гбит/с у G9. Это расчётные показатели самих чипов, а не готовых SSD. Массовое производство G11 запланировано на вторую половину 2027 года. |
10 просмотров