✨ Intel заявила о преимуществе перед TSMC при использовании литографии High-NA EUV
✨ Intel заявила о преимуществе перед TSMC при использовании литографии High-NA EUV В интервью Dwarkesh Podcast вице-президент Intel Крис От заявил, что технология обратной подачи питания Backside Power позволяет компании эффективнее использовать литографию High-NA EUV в техпроцессе 14A. Перенос силовых цепей на обратную сторону кристалла освобождает место для сигнальных соединений. По словам Ота, это позволяет Intel формировать определённые структуры за один проход, тогда как TSMC приходится применять двойное экспонирование EUV. High-NA EUV остаётся опцией для Intel 14A, применение которой обсуждается с заказчиками индивидуально. Технический директор Intel Пушкар Ранаде также заявил, что компания практически догнала TSMC по технологиям. По его оценке, разница в производительности, энергопотреблении и плотности транзисторов составляет лишь несколько процентов. При этом TSMC значительно превосходит Intel по масштабам производства.