Китайская компания CXMT разрабатывает вертикальный транзистор с объёмным затвором для D...
Китайская компания CXMT разрабатывает вертикальный транзистор с объёмным затвором для DDR5-памяти. Новая конструкция позволяет разместить на той же площади на 50% больше ячеек за счёт уменьшения утечек заряда и компактного размещения канала. В теории это даст CXMT прирост гигабайт с каждой пластины и усилит конкуренцию на рынке DRAM. Однако о снижении цен на DDR5 говорить рано: технологию ещё необходимо освоить в массовом производстве. 💻 ТехноБаза — Подписаться
2 просмотров