Китайская компания Landau Flint продемонстрировала прототип источника экстремально-ульт...
Китайская компания Landau Flint продемонстрировала прототип источника экстремально-ультрафиолетового излучения (EUV) FlintNano LPP-OXXO для литографии чипов техпроцессом ниже 7 нм. По заявлению разработчиков, уровень локализации превышает 90%, а технологический подход сопоставим с решениями ASML. Прототип имеет лазер мощностью 1 кВт с частотой 1–20 кГц, выдает EUV-мощность 15 Вт и обеспечивает 100 часов непрерывной работы. Заявлены стабильность плазмы 3% RMS и энергетическая стабильность 5%. Для серийного производства сложных чипов мощности недостаточно: современные станки ASML работают со сотнями ватт EUV-излучения. 💻 ТехноБаза — Подписаться
2 просмотров