TSMC представила новый подход к созданию транзисторов на основе двумерного материала MoS₂
TSMC представила новый подход к созданию транзисторов на основе двумерного материала MoS₂ TSMC совместно с тайваньскими учёными разработала новый 2D-транзистор на основе одноатомного слоя дисульфида молибдена (MoS₂). Исследователям удалось создать затвор с эквивалентной толщиной около 1 нм, сохранив высокую подвижность электронов. Для этого между MoS₂ и диэлектриком HfO₂ использовали ультратонкий буферный слой Al₂O₃. Технология пока не заменяет кремниевую CMOS, но может помочь в дальнейшем масштабировании микросхем. Подробности на сайте Новый подход позволяет совместить очень тонкий затвор с высокой подвижностью носителей заряда, что в перспективе может помочь уменьшить размеры транзисторов. До практического применения в массовом производстве ещё далеко, однако работа демонстрирует реальный путь к созданию более компактных и эффективных электронных компонентов. АВС Автоматизация в Телеграмме | в VK