Учёные Фуданьского университета (Fudan University) в Шанхае создали экспериментальную э...
Учёные Фуданьского университета (Fudan University) в Шанхае создали экспериментальную энергонезависимую память, в которой для хранения одного бита достаточно единственного электрона — минимально возможного носителя электрического заряда. Для коммерциализации этой разработки будет создана компания, которая намерена вывести продукт на рынок в течение трёх–пяти лет. https://3dnews.ru/1145624/kitaytsi-sozdali-idealnuyu-pamyat-dlya-hraneniya-bita-ey-nugen-vsego-odin-elektron
181 просмотров