Ивановские ученые разработали перспективный композит для электронной техники
Ивановские ученые разработали перспективный композит для электронной техники Ученые Института химии растворов имени Г. А. Крестова РАН (ИХР РАН) обнаружили, что добавление всего 1% оксида никеля к титанату бария увеличивает измеренную диэлектрическую проницаемость суспензии материала примерно в 32 раза. В перспективе исследование может помочь в создании более компактных электронных компонентов. Подробнее о разработке ученый ИХР РАН Константин Иванов рассказал редакции Наука Mail. https://science.mail.ru/news/59742-uluchshen-dielektricheskij-otklik-materiala/
43 просмотров