Учёные ЛЭТИ, ФТИ им. Иоффе и СПбГУ создали материалы для энергоэффективных ячеек памяти... — 2 сентября 2026 г. в 07:00:04.706
Учёные ЛЭТИ, ФТИ им. Иоффе и СПбГУ создали материалы для энергоэффективных ячеек памяти на основе оксида галлия и железа Исследователи впервые вырастили кристаллы оксида галлия, сильно легированные железом, и выявили в них признаки магнитного упорядочения при комнатной температуре. Это важный шаг к созданию материалов для спинтроники — электроники, основанной на использовании магнитных свойств материала. Почему это важно Оксид галлия — широкозонный полупроводник, который рассматривают как перспективную замену кремнию в силовой электронике для управления высокими напряжениями с малыми потерями. Однако его магнитные свойства до сих пор были недостаточно изучены. Ранее железо использовали лишь в малых добавках для компенсации электронной проводимости. Впервые его добавили в большом количестве. Как получали и изучали Кристаллы выращивали раствор-расплавным методом из смеси оксидов молибдена и галлия с добавлением гидроксида железа. Строение изучали рентгеновской дифракцией, магнитные свойства измеряли на вибрационном магнитометре, поведение материала воспроизводили микромагнитным моделированием. Рентгеновская дифракция показала, что железо частично замещает галлий в кристаллической решётке, не меняя её строения. Магнитометрия при комнатной температуре зафиксировала признаки магнитного упорядочения. Профессор кафедры микро- и наноэлектроники ЛЭТИ, старший научный сотрудник ФТИ им. Иоффе РАН Камиль Гареев: «Наша команда впервые вырастила монокристаллы оксида галлия, сильно легированные железом. В полученных кристаллах мы выявили признаки магнитного упорядочения при комнатной температуре». Заведующий лабораторией физики профилированных кристаллов ФТИ им. Иоффе РАН Владимир Николаев: «Мы сделали шаг к тому, чтобы оксид галлия приобрёл ферромагнитные свойства и в будущем мог стать основой для электронных приборов, действующих на принципах спинтроники. Это позволит обеспечить быструю коммутацию энергии в линиях высокого напряжения и надёжное магнитное хранение данных на одном кристалле». Результаты опубликованы в журнале «Физика твердого тела». Подписывайтесь на наш канал, чтобы знать о разработках в области новых материалов для электроники. ⚡🧲 #АВУ_наука