🔧 Гибридные микросхемы в радиоэлектронной аппаратуре: кратко о сути
🔧 Гибридные микросхемы в радиоэлектронной аппаратуре: кратко о сути Гибридные микросхемы — это конструктивно объединённые на одной подложке пассивные (резисторы, конденсаторы, катушки) и активные (транзисторы, диоды) компоненты. В отличие от монолитных ИС, где всё формируется в кристалле, в гибридных часть элементов наносят на подложку (например, напылением), а дискретные — монтируют отдельно. ⚡ Как устроены - Подложка (чаще из керамики) служит несущей основой и изолятором. - Пассивные элементы формируют методами толстоплёночной или тонкоплёночной технологии. - Активные элементы — отдельные кристаллы или готовые транзисторы/диоды, которые размещают и соединяют с дорожками. - Контакты и соединения делают проволочным монтажом либо микросваркой; сверху наносят защитный слой. 📡 Где применяют в РЭА - В ВЧ‑ и СВЧ‑аппаратуре (усилители, смесители, генераторы) — из‑за хороших ВЧ‑характеристик пассивных элементов. - В военной и космической технике — благодаря высокой надёжности, стойкости к вибрациям и перепадам температур. - В измерительных приборах и источниках питания — для компактной сборки узлов с жёсткими требованиями к параметрам. ✅ Преимущества - Гибкость проектирования: можно комбинировать высокоточные пассивные элементы и разные типы активных компонентов. - Хорошие ВЧ‑свойства и низкие паразитные параметры. - Повышенная надёжность в тяжёлых условиях эксплуатации. ⚠️ Недостатки - Более высокая стоимость и трудоёмкость производства по сравнению с монолитными ИС. - Большие габариты и масса, чем у современных однокристальных решений. - Сложность ремонта и диагностики из‑за плотной компоновки. Первая в мире гибридная интегральная схема «Квант» (позже получившая обозначение «ГИС серии 116») была разработана в 1962 году в ленинградском НИИ Радиоэлектроники (НИИРЭ, позже НПО «Ленинец»), главный конструктор — А. Н. Пелипченко. Она же была первой в мире ГИС с двухуровневой интеграцией — в качестве активных элементов в ней использованы не дискретные бескорпусные транзисторы, а третья в мире полупроводниковая ИС «Р12-2», разработанная и изготовленная в том же 1962 году по заказу НИИРЭ Рижским заводом полупроводниковых приборов (РЗПП), главный конструктор — Ю. В. Осокин. ГИС производилась до середины 1990-х годов, то есть более 30 лет. Первая зарубежная ГИС была анонсирована фирмой IBM в 1964 году в виде STL-модулей, которые были созданы фирмой для нового семейства компьютеров IBM-360.
Канал в каталоге Максиметера
1 513 подписчиков · IT и технологии