📝 Семинар НЦВО РАН состоится во вторник 19 мая 2026 г. в 15:00 (МСК) — 15 мая 2026 г. в 07:57:05.333
📝 Семинар НЦВО РАН состоится во вторник 19 мая 2026 г. в 15:00 (МСК) Предусмотрено как очное (конференц-зал НЦВО РАН), так и онлайн участие. Тема доклада: «Моделирование дефектов аморфного SiO2 методами квантовой молекулярной динамики» Автор: В.Б. Сулимов (Научно-исследовательский вычислительный центр МГУ имени М.В. Ломоносова) Аннотация: Точечные дефекты в аморфном и стеклообразном SiO2 играют важную роль в различных областях науки и техники: в микроэлектронике, в многослойных оптических покрытиях, в волоконной оптике и др. Настоящая работа посвящена новому подходу к моделированию аморфного SiO2 и его дефектов, в котором аморфные состояния получаются при моделировании методами квантовой молекулярной динамики процесса расплавления-закалки исходного кристалла: кристалл разогревается до заданной температуры Tmelt выше температуры плавления, расплав стабилизируется и затем охлаждается до комнатной температуры и стабилизируется при ней. Моделирование всего этого процесса с помощью квантовой молекулярной динамики методом функционала плотности позволяет адекватно описывать разрывы и переключения межатомных связей в расплаве и при его охлаждении. Получены аморфные состояния стехиометрического, кислородно-дефицитного и кислородно-избыточного SiO2 при различных значениях Tmelt. Описана структура сетки атомов полученных аморфных состояний и структуры обнаруженных в них дефектов, среди которых есть и известные, и новые точечные дефекты SiO2. Всего обнаружено 9 дефектов в стехиометрическом a-SiO2, еще 7 дефектов в кислородно-дефицитном SiO2, а также несколько дополнительных дефектов в кислородно-избыточном a-SiO2. Такой подход позволяет естественным образом получать аморфные состояния других оксидов и материалов, изучать структуру не только собственных, но и примесных дефектов аморфных состояний и моделировать границу раздела аморфных слоев различных материалов. Для онлайн участников: Регистрация на семинар по ссылке: https://b86687.vr.mirapolis.ru/mira/Do?doaction=Go&s=TczggXakB9ky4ZemraXd&id=273&type=LightWeightRegistrationFrame Для очных участников: Место проведения - конференц-зал НЦВО РАН По вопросам оформления пропусков обращаться по адресу alexglad@fo.gpi.ru (Гладышев Алексей Вячеславович)