📝 Семинар №193 Научного центра лазерных материалов и технологий им. В.В. Осико ИОФ РАН
📝 Семинар №193 Научного центра лазерных материалов и технологий им. В.В. Осико ИОФ РАН Четверг 2 апреля 2026, начало 15:00 НЦЛМТ ИОФ РАН (корп. 4), к. 707 ПОВЕСТКА ДНЯ: Харитонова Полина Дмитриевна (Лаборатория спектроскопии кристаллов и стёкол ОЛМФ НЦЛМТ) Исследование лазерной стойкости и возможностей преобразования частоты лазерного излучения в средний инфракрасный диапазон для новых нелинейных оптических материалов на основе кристаллов GaSe, LiGaSe2 и LiGaS2 с антиотражающими микроструктурами поверхности (по материалам кандидатской диссертации специальность 1.3.19 − Лазерная физика) Научный руководитель: д.ф.-м.н. Сметанин Сергей Николаевич Разработка источников когерентного излучения в среднем инфракрасном диапазоне (2–12 мкм) сдерживается высокими потерями на отражение от граней нелинейных кристаллов. Традиционные интерференционные покрытия не всегда обеспечивают необходимую широкополосность и лазерную стойкость, поэтому альтернативой становятся антиотражающие микроструктуры поверхности. В докладе представлены результаты исследований лазерной стойкости и возможности преобразования частоты лазерного излучения в средний инфракрасный диапазон для кристаллов GaSe, LiGaSe2 и LiGaS2 с антиотражающими микроструктурами поверхности. Проведённые исследования лазерной стойкости для нелинейных кристаллов с антиотражающими микроструктурами поверхности показали высокий порог лазерного разрушения на уровне полированных поверхностей и подтвердили значительные преимущества над традиционными покрытиями в условиях длительных импульсов. Предложены внешнерезонаторная и внутрирезонаторная схемы двухкаскадного преобразования частоты лазерного излучения, преодолевающие проблему непрозрачности антиотражающих микроструктур поверхности на длине волны лазерной накачки около 1 мкм. Продемонстрирована устойчивая генерация в среднем инфракрасном диапазоне в схеме двухкаскадного параметрического генератора света. По вопросам пропусков обращаться по тел: +7(499) 503-87-77-595 E-mail: shukshinve@lst.gpi.ru (Шукшин Владислав)