Intel отчиталась о миллионе пластин на High-NA EUV и продвигает формат масок 6×12
Intel отчиталась о миллионе пластин на High-NA EUV и продвигает формат масок 6×12 Intel сообщила, что обработала более одного миллиона 300-мм пластин на своих сканерах High-NA EUV. По словам материала, этот рубеж достигнут менее чем за 2,5 года после сборки первого инструмента, а сами установки уже используются для выпуска части процессоров Panther Lake по техпроцессу 18A. Сейчас у Intel есть два сканера АСМЛ Twinscan EXE:5000 и как минимум один EXE:5200B. Практический смысл инициативы вокруг 6×12-дюймовых фотомасок в том, что они должны позволить экспонировать полное поле 26×33 мм за один проход, без stitching. Для больших кристаллов это важно: при стандартных 6-дюймовых масках поле составляет 26×16,5 мм, а stitching снижает производительность на EXE:5200B с 175 до 125 пластин в час. При этом переход на 6×12-дюймовые маски потребует изменений в экосистеме масок, оборудовании и, вероятно, в самих сканерах. Иными словами, идея обещает убрать лишнюю сборку изображения и сохранить более высокую пропускную способность, но пока речь идет именно о направлении развития, а не о подтвержденной перестройке уже работающих High-NA EUV-систем. Для отрасли это сигнал следить за тем, как быстро такие маски дойдут до реального производства и где stitching еще будет ограничивать выпуск.