TSMC сообщила о прорыве в разработке транзисторов — 8 августа 2026 г. в 07:02:00.942
TSMC сообщила о прорыве в разработке транзисторов Компания создала транзистор на основе одноатомного слоя дисульфида молибдена (MoS₂), изготовленный по технологии, совместимой с современным полупроводниковым производством. Именно такие материалы толщиной в один атом рассматриваются как наиболее вероятная замена кремнию для техпроцессов уровня 0,7 нм. Мой Компьютер
1 365 просмотров