🔬 Китай нащупал путь к 3-нм чипам без западного EUV-оборудования
🔬 Китай нащупал путь к 3-нм чипам без западного EUV-оборудования Институт микроэлектроники Китайской академии наук (IMECAS) разработал предварительный техпроцесс для GAA-транзисторов класса 3 нм исключительно на старом DUV-оборудовании. Это ответ на запрет ASML продавать Китаю передовые EUV-литографы, которыми Samsung и TSMC штампуют свои 3-нм и 2-нм чипы. Как это работает: вместо одной точной EUV-экспозиции — многократное формирование рисунка через глубокий ультрафиолет. GAA (gate-all-around) — конструкция, где затвор обнимает канал со всех сторон, повышая контроль над током. Минус — в разы больше масок, операций и головной боли с совмещением слоёв. Себестоимость взлетает, выход годных кристаллов падает. Главный инженер IMECAS Е Тяньчунь честно признал: до массового производства ещё далеко. Успешный прототип отдельных транзисторов — не готовый техпроцесс. Нужно освоить межсоединения, стабилизировать линию, выйти на приемлемый процент брака. Параллельно академия в 2025-м показала твердотельный источник на 193 нм — строительный блок для будущих китайских литографов, но пока не замена промышленным системам ASML. Отдельная ставка Huawei: концепция Tau Scaling Law — масштабирование не нанометров, а архитектуры и «времени вычислений». К 2031 году обещают плотность транзисторов уровня гипотетических 1,4 нм — правда, речь об эквиваленте, а не физическом техпроцессе. Сможет ли Китай догнать TSMC и Samsung в гонке нанометров через обходные пути? 🆓 Бесплатный доступ к нейросетям — chatru.net
Канал в каталоге Максиметера
2 733 подписчиков · IT и технологии