Samsung почти догнала Hynix в играх, но проиграла в разгоне DDR5
Samsung почти догнала Hynix в играх, но проиграла в разгоне DDR5 Как сообщает ITHardware, при скорости DDR5-6000 разница в игровой производительности памяти на чипах Samsung и Hynix составила всего 0,2%. Модули Micron отстали примерно на 3%. Зато при разгоне Hynix A-die достигла 8200 МТ/с, Micron — 7600 МТ/с, а Samsung — 7000 МТ/с. Для обычного игрового ПК разница между Samsung и Hynix почти незаметна, а вот любителям разгона Hynix интереснее.