Micron готовит NAND на 400+ слоёв — SSD станут вместительнее
Micron готовит NAND на 400+ слоёв — SSD станут вместительнее Как сообщает Tom’s Hardware, Micron представила следующее поколение флеш-памяти G11 3D NAND, пропустив промежуточную генерацию G10. Число слоёв превысит 400 против 276 у нынешней G9, а плотность хранения данных должна вырасти примерно вдвое. Скорость интерфейса увеличится до 5400 МТ/с, а энергопотребление при передаче данных на бит снизится более чем на 25%.
82 просмотров