Ученые исследовали новый метод управления выращиванием наностенки из нитрида алюминия — 13 июля 2026 г. в 10:34:25.607
Ученые исследовали новый метод управления выращиванием наностенки из нитрида алюминия Исследователи из МФТИ, Университета Ж. И. Алфёрова, СПбГУ и Физико-технического института имени Иоффе с коллегами впервые продемонстрировали, что рельеф подложки из гексагонального нитрида бора (h-BN) можно использовать для детерминированного управления формой и расположением нанокристаллов нитрида алюминия (AlN), выращиваемых методом вандерваальсовой эпитаксии. Практические перспективы разработки охватывают два ключевых направления. Первое — глубоко ультрафиолетовая фотоника: линейные наностенки AlN с высоким кристаллическим совершенством могут служить оптическими резонаторами для диодов и лазеров с длиной волны до 200–210 нм. Управляемое расположение наностенок позволяет создавать фотонные схемы с заданной топологией — фазовые решетки, волноводные массивы, источники одиночных фотонов. Второе — пьезоэлектрические наносистемы. Наностенки с заданным расположением пригодны для создания наногенераторов механической энергии, наносенсоров и наноактюаторов на гибких подложках. Такие наногенераторы могут питать автономные медицинские сенсоры, имплантируемые в тело. Подробнее: https://zanauku.ru/2026/07/10/uchenye-issledovali-novyy-metod-upravleniya-vyrashhivaniem-nanostenki-iz-nitrida-alyuminiya/ #новостиэлектроники