↗️ Санкции подталкивают CXMT к переходу на память с вертикальными транзисторами — Samsu...
↗️ Санкции подталкивают CXMT к переходу на память с вертикальными транзисторами — Samsung и SK hynix не торопятся Американские санкции подталкивают китайскую CXMT к ускоренному переходу на более плотную архитектуру ячеек DRAM 4F2, чтобы конкурировать с Samsung и SK hynix. Пока южнокорейские производители могут повышать плотность памяти более простыми методами, CXMT приходится осваивать сложные технологии раньше соперников — и теперь она рассчитывает первой наладить выпуск такой DDR5. Источник изображения: CXMT Подробнее на 7ooo.ru
1 просмотров