🚀 Micron готовит NAND-память G11 на 400+ слоёв
🚀 Micron готовит NAND-память G11 на 400+ слоёв Компания Micron анонсировала новое поколение NAND-памяти под кодовым названием G11. Главная фишка — архитектура, насчитывающая более 400 слоёв. При этом ходят слухи, что разработчики могут пропустить промежуточное поколение G10. 🛠️ Если верить данным компании, G11 будет заметно бодрее текущей G9. Плотность хранения данных на той же площади вырастет примерно в два раза, а скорость ввода-вывода подскочит до 1,5 раз. Также обещают, что энергопотребление при передаче данных упадет более чем на 25%. ⚡️ Помимо потребительских решений, Micron показала два типа памяти специально для ИИ-инфраструктуры в дата-центрах. 🖥️ Запуск массового производства новой архитектуры намечен на вторую половину 2027 года.