🚀 Micron перепрыгнула на 400+ слоёв NAND
🚀 Micron перепрыгнула на 400+ слоёв NAND Micron решили не возиться с индексом G10 и сразу представили новое поколение памяти — G11. Главная фишка в том, что количество слоёв в архитектуре теперь превышает 400. Это на 45% больше, чем в текущем поколении G9, где было 276 слоёв. ⚡️ За счёт нового техпроцесса плотность записи обещает вырасти вдвое. Если раньше на квадратный миллиметр приходилось 21 Гбит, то в G11 можно ожидать около 42 Гбит/мм². Micron пока не уточнили, будет ли это TLC или QLC, так что цифры носят оценочный характер. 🛠️ Инженеры также планируют ускорить интерфейс с 3,6 до 5,4 Гбит/с. При этом энергопотребление на передачу данных должно упасть более чем на 25%. Для сборки чипов будут использовать метод «wafer-on-wafer», как это уже делают Samsung и Kioxia. Массовый запуск новинок намечен на вторую половину 2027 года. 📅