🚀 Micron готовит революцию в DRAM: вертикальная память и High-NA EUV
🚀 Micron готовит революцию в DRAM: вертикальная память и High-NA EUV Micron планирует радикально изменить подход к производству оперативной памяти. Поскольку масштабирование обычных чипов упирается в физические пределы, компания делает ставку на новые технологии. В планах — внедрение склейки пластин (wafer bonding) и использование продвинутой литографии High-NA EUV для будущих поколений. ⚡️ Самое интересное — это разработка вертикальной памяти (vHBM и vEIM). Вместо того чтобы располагать модули рядом с процессором, их планируют ставить прямо поверх него. Это должно снизить задержки и поднять пропускную способность, хотя решать проблемы с охлаждением такого «бутерброда» ещё предстоит. 🛠️ Кроме того, Micron готовит архитектуры 3D DRAM. Как отметил Скотт Дебоер, президент компании: «Мы очень сосредоточены на том, чтобы внедрить 3D DRAM в оптимальное время с точки зрения стоимости и производительности». Точных дат выхода новых типов памяти пока нет, но вектор развития понятен — всё больше вертикали и плотной интеграции с чипами.