Samsung показала физический макет памяти HBM5. Пропускная способность одного стека выра... — 2 июня 2026 г. в 11:48:07.077
Samsung показала физический макет памяти HBM5. Пропускная способность одного стека вырастет до 4 ТБ/с, а ширина шины ввода-вывода увеличится до 4096 бит. Память ориентирована на будущие суперкомпьютеры и обучение тяжелых ИИ-моделей, а ее выход на рынок ожидается в период с 2029 по 2031 год. Главным изменением станет переход на 2 нм базовый логический кристалл (base die), который заменит 4-нм решение из прошлых поколений. Для борьбы с нагревом инженеры применили архитектуру HPB (Heat Path Block) — создание дополнительных сквозных каналов для отвода тепла от самых горячих зон чипа.
Канал в каталоге MAXimeter
24 901 подписчиков · IT и технологии