Intel представила техпроцесс 18A-P с приростом производительности 9%
Intel представила техпроцесс 18A-P с приростом производительности 9% На VLSI 2026 Intel раскрыла детали улучшенного техпроцесса 18A-P. Главное новшество в сравнении с базовым 18A это технология двойных контактов (dual contact) — новый вариант транзистора с низким сопротивлением, который обеспечивает увеличение тока и рост частоты без расширения площади чипа. Данная технология лежит в основе Power Boost и позволяет получать прирост производительности до 9% при том же энергопотреблении. По заявлению Intel, 18A-P даёт +9% производительности при том же энергопотреблении или на 18% меньше энергии при той же частоте (при 0,75 В). Тепловое сопротивление снижено на 20–40%, сопротивление вертикальных межсоединений — на 10–30%. Первыми на 18A-P выйдут Xeon 7 Diamond Rapids в 2027 году. Процесс сохраняет совместимость с дизайн-правилами 18A, что упростит внедрение.