Новый тип памяти LLW позволит внедрить HBM-подобный дизайн, чтобы притащить еще больше ... — 15 июня 2026 г. в 18:41:37.116
Новый тип памяти LLW позволит внедрить HBM-подобный дизайн, чтобы притащить еще больше локальных ИИ в смартфоны. Обычная LPDDR5X — узкое место для нейрозадач, а полноценный HBM в телефон не запихнуть из-за габаритов и температурного ада. Low Latency Wide DRAM (LLW) использует вертикальную упаковку, практически как в серверной HBM, добавляя по заявлением разработчиков ~1,5x пропускной способности в сравнении с LPDDR5X, и снижая энергопотребление. По слухам от Weibo-инсайдера Fixed Focus Digital, китайские Xiaomi и Huawei начнут использовать LLW во второй половине 2027 года, а Apple и Samsung традиционно тоже присматриваются к мобильному HBM. Осталось дождаться хотя бы живого образца — обычно с такими «прорывами» проблемы начинаются на этапе корпусного исполнения и охлаждения. Без быстрой локальной памяти, так или иначе, быстрых ИИ-моделей всё равно не получить. Ну, а нейронок в нашей жизни будет все больше. Причем, в потребительских устройствах, в основном тех нейронок, что контролирует корпорация. Черный ящик, который, безусловно, охотно верим, будет действительно исключительно в интересах пользователей.