Kioxia и Sandisk анонсировали 3D NAND память BiCS10 с рекордной плотностью — 5 августа 2026 г. в 17:16:19.470
Kioxia и Sandisk анонсировали 3D NAND память BiCS10 с рекордной плотностью Компания Kioxia и Sandisk Corporation раскрыли подробности о технологии 3D QLC NAND 10-го поколения. Память состоит из 332 активных слоев и обеспечивает рекордную плотность размещения данных более 37 Гб/мм². Чипы поддерживают интерфейс со скоростью 4,8 Гбит/с благодаря протоколам Toggle DDR6.0 и SCA. В производстве применяется архитектура CBA (раздельное изготовление и прямое соединение пластин CMOS и массива ячеек), а технология PI-LTT снижает энергопотребление при передаче данных. Разработка ориентирована на серверные накопители для задач ИИ и ЦОД.
1 851 просмотров