Kioxia и Sandisk анонсировали флеш-память QLC NAND десятого поколения, которая получила... — 4 августа 2026 г. в 22:19:25.899
Kioxia и Sandisk анонсировали флеш-память QLC NAND десятого поколения, которая получила 332 слоя и обеспечивает рост плотности хранения на 60% по сравнению с восьмым поколением. Новый чип достигает плотности свыше 37 Гбит/мм², что, по заявлению компаний, является новым отраслевым рекордом. Ключевой особенностью стала архитектура CBA (CMOS directly Bonded to Array), где логика CMOS и массив памяти изготавливаются на отдельных пластинах, а затем объединяются с помощью высокоточного соединения. Такой подход позволяет одновременно увеличить плотность, производительность и эффективность производства. Новинка также стала первой в отрасли QLC NAND с интерфейсом 4,8 Гбит/с, реализованным благодаря поддержке Toggle DDR6.0 и протокола Separate Command Address (SCA). Дополнительно технология PI-LTT (Power Isolated Low-Tapped Termination) снижает энергопотребление интерфейса при передаче данных, что особенно важно для ИИ-инфраструктуры и гипермасштабируемых дата-центров.