Samsung, по данным корейских СМИ, завершила сертификацию своих 12-слойных микросхем HBM...
Samsung, по данным корейских СМИ, завершила сертификацию своих 12-слойных микросхем HBM4E у NVIDIA и нескольких крупных операторов ЦОД. Тестирование якобы закончилось в конце сентября — это важный этап перед коммерческими поставками, поскольку заказчики проверяют производительность, надежность, энергопотребление и тепловые характеристики памяти. 12-слойная HBM4E от Samsung обеспечит объем памяти до 48 ГБ на стэк, которые работают со скоростью 14 Гбит/с на контакт и могут масштабироваться до 16 Гбит/с. Максимальная пропускная способность достигает примерно 3,6 ТБ/с на стек, а при 16 Гбит/с — около 4 ТБ/с. Samsung заявляет более чем 20% прирост производительности относительно HBM4. Внутри стэка используется техпроцесс 1c DRAM шестого поколения Samsung и 4-нм логический базовый кристалл, который производит собственное подразделение Samsung Foundry. Компания также заявляет об улучшении энергоэффективности и тепловых характеристик. 😅 Канал Serverflow в MAX: Подписаться