В ИСЭ СО РАН предложили новое решение проблемы образования микрократеров при обработке ... — 5 мая 2026 г. в 05:32:42.603
В ИСЭ СО РАН предложили новое решение проблемы образования микрократеров при обработке поверхности электронным пучком Ученые Института сильноточной электроники СО РАН разработали комбинированную технологию обработки поверхности металлических изделий, которая позволяет эффективно решить проблему образования микрократеров, снижающих качество готовой продукции – штампового инструмента и изделий медицинского назначения. Для создания новой технологии, которая объединяет в одном цикле очистку дуговым разрядом и упрочнение электронным пучком, были отработаны новые режимы работы источника электронов в вакуумной электронно-пучковой установке «СОЛО», разработанной в ИСЭ СО РАН. – Нередко на поверхности материалов, подвергаемой электронно-пучковой обработке, имеются небольшие включения, отличающиеся от основной поверхности изделия теплопроводностью и температурой плавления. При воздействии электронных пучков из-за неравномерного нагрева и испарения данных включений на их месте образуются микроскопические кратеры. Поэтому перед электронно-пучковой модификацией поверхности ее нужно подготовить, выжечь все загрязнения и включения с помощью дугового разряда, который инициируется самим электронным пучком – рассказывает руководитель проекта кандидат технических наук Сергей Дорошкевич, научный сотрудник лаборатории плазменной эмиссионной электроники ИСЭ СО РАН. Как пояснил Сергей Юрьевич, раньше этот процесс осуществлялся поэтапно: сначала очистка, затем модификация изделия, для чего оно перемещалось в другую вакуумную камеру или установку, что требовало больше времени, увеличивало расход энергии и материалов. Теперь все это впервые происходит в течение одного рабочего цикла в одной вакуумной камере. Технология «два в одном» не только упрощает производственный процесс, снижая затраты, но и повышает качество обработанной поверхности. Подробности по ссылке: https://tsc.ru/ru/news/nw_003367.html