В ННГУ запатентовали технологию очистки диоксида кремния для микросхем
В ННГУ запатентовали технологию очистки диоксида кремния для микросхем Учёные НИИ химии Университета Лобачевского запатентовали уникальную технологию глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния. На основе этого материала исследователи разработали полировальные суспензии, жизненно необходимые для создания современных полупроводников. Технологическая линия и регламент получения продукта уже готовы, а сама разработка отправлена на апробацию индустриальному партнёру. Суспензии на основе нанодисперсного диоксида кремния применяются в химико-механической полировке полупроводниковых пластин. Этот процесс обеспечивает субнанометровую точность обработки поверхности, определяющую надёжность и производительность чипов. Разработанный отечественный подход позволяет комплексно управлять свойствами наночастиц, задавая им строгую форму, одинаковый размер и высочайшую степень чистоты. «Изобретение относится к очистке диоксида кремния, синтезированного методом Штобера, и предназначено для химико-механической полировки полупроводников и процессов, требующих высокочистых абразивов», — пояснила руководитель исследования Ксения Отвагина. Проект реализуется с 2024 года в рамках федеральной программы «Приоритет-2030». Исследовательская часть по подбору условий синтеза завершена. Сейчас химики фокусируются на подтверждении стабильности технологии при масштабировании производства и проведении промышленных испытаний. «Создание отечественной компонентной базы для микроэлектроники — одна из ключевых задач. Запатентованная технология показывает, как университетская наука отвечает на запросы индустрии. Наша цель — обеспечить полный цикл от исследований до серийного производства», — отметил ректор ННГУ Олег Трофимов.