QUEST выпустила SiC MOSFET 1700 В в корпусе TO-247 с двумя вариантами оптимизации потерь — 31 августа 2026 г. в 07:46:20.162
QUEST выпустила SiC MOSFET 1700 В в корпусе TO-247 с двумя вариантами оптимизации потерь Компания QUEST представила два N-Channel SiC MOSFET в корпусе TO-247. Первый прибор — RTW170N055 с сопротивлением открытого канала 55 мОм и импульсным током 112 А, ориентированный на схемы с высокими рабочими токами и низкой частотой переключения. Второй — RTQ170N100 с сопротивлением 100 мОм и зарядом затвора 74 нКл, предназначенный для высокочастотных преобразователей. Энергия включения составляет 629 мкДж у RTQ170N100 и 880 мкДж у RTW170N055. Оба прибора имеют тепловое сопротивление переход-корпус 0,55 °C/Вт, рабочий диапазон температур от –55 до +175 °C, ток утечки при напряжении 1700 В менее 100 мкА. Рост сопротивления открытого канала при нагреве до 150 °C не превышает 30%. Компоненты совместимы по посадочным размерам и тепловому интерфейсу. Источник: Компания КВЕСТ #Исуп