Современные компьютеры, смартфоны и другая техника постоянно тормозят из-за того, что п...
Современные компьютеры, смартфоны и другая техника постоянно тормозят из-за того, что процессор работает намного быстрее, чем память. Новый тип памяти — SOT-MRAM (spin-orbit torque MRAM) — способен решить эту проблему. Он позволит записывать информацию в десятки раз быстрее, чем нынешние флеш-накопители, и при этом потреблять гораздо меньше энергии. Однако до сих пор существовала серьезная техническая проблема: для переключения ячеек такой памяти требовалось внешнее магнитное поле, что сильно усложняло конструкцию устройств. Ученые нашли способ обойтись без него. Исследователи использовали особую структуру из трех слоев: два магнитных слоя (один намагничен горизонтально, другой — вертикально) и сверхтонкую прослойку из вольфрама толщиной всего в 1 нанометр — это примерно в 100 тысяч раз тоньше человеческого волоса. Оказалось, что даже такой тонкий слой вольфрама эффективно генерирует спиновый ток — особый поток электронов, который и переключает намагниченность. Эффективность преобразования электрического тока в спиновый составила около 15%, что сопоставимо с показателями гораздо более толстых слоев тяжелых металлов. Фото: aoo3771 / ru.123rf.com Подробнее на портале Научная Россия #память #вольфрам