Micron анонсировала память 3D NAND 11-го поколения (G11). У новой генерации более 400 с...
Micron анонсировала память 3D NAND 11-го поколения (G11). У новой генерации более 400 слоёв против 276 у G9 — прирост не менее 45 %. В сочетании с обновлённым техпроцессом и архитектурой это даст увеличение плотности записи примерно в 2 раза и снижение энергопотребления на 25 %. Скорость интерфейса вырастет до 50 % по сравнению с G9: с 3,6 Гбит/с до ~5,4 Гбит/с. Серийное производство G11 запланировано на вторую половину 2027 года. 💻 ТехноБаза — Подписаться
5 просмотров