Физический предел применимости кремния, который полвека был движущей силой электронной ...
Физический предел применимости кремния, который полвека был движущей силой электронной революции, подходит к концу. Транзисторные каналы сжались до толщины в 5 нм, и ниже этого предела кремний начинает вести себя неудовлетворительно: шероховатость становится сопоставимой с толщиной материала, носители заряда рассеиваются, а подвижность падает на два порядка. Чем тоньше слой, тем сильнее атомарные неровности поверхности мешают току — и с этим уже ничего не поделать. Поиском материалов, способных заменить кремний в транзисторах следующего поколения, сегодня занимаются ведущие лаборатории мира, в их числе — исследовательские группы «Центра перспективной микроэлектроники», созданного на базе МФТИ. https://www.techinsider.ru/science/1733923-zamenit-kremnii-pochemu-vedushchie-chipmeikery-brosilis-izuchat-material-pohojii-na-shkolnyi-karandashnyi-grafit/