Samsung прошла проверку Nvidia с новейшей памятью HBM4E
Samsung прошла проверку Nvidia с новейшей памятью HBM4E Память HBM4E от Samsung успешно прошла квалификационные испытания у Nvidia и других крупных игроков рынка. Это открывает корейской компании путь к поставкам чипов для самой дорогой компании мира. Речь о 12-слойных чипах: 48 ГБ на слой, скорость до 14 Гбит/с на контакт с потенциалом роста до 16 Гбит/с, пропускная способность до 3,6 ТБ/с — более чем на 20% выше, чем у HBM4. В основе — DRAM шестого поколения 10-нм класса и логический кристалл по 4-нм техпроцессу Samsung Foundry.
91 просмотров