🇷🇺 Производство микроэлектроники. Электронно-лучевые литографы. Вести из лабораторий.... — 5 августа 2026 г. в 13:29:56.708
🇷🇺 Производство микроэлектроники. Электронно-лучевые литографы. Вести из лабораторий. Россия В России разработали многолучевый катод для использования в электронных литографах Об этом рассказали Известия. При использовании мультикатода, можно обработать кремниевую пластину за 5-7 минут, на несколько порядков быстрее, чем при использовании традиционных однолучевых электронных литографов. Это позволяет по-новому взглянуть на технологию электронной литографии, как до какой-то степени, альтернативу традционной фотолитографии при производстве полупроводников. На данный момент завершён этап научно-исследовательских работ (НИР): мультикатод изготовлен и прошёл практические испытания. Однако самого литографа пока нет — его создание в рамках опытно-конструкторской разработки (ОКР) ещё впереди. Разработчики рассчитывают, что первый опытный образец может появиться примерно через 3 года Заявляется, что источники пучков имеют радиус закругления вершины от 1.5 до 2 нм – это позволяет рассчитывать на возможность создания с помощью будущей установки передовых чипов. Впрочем, чтобы можно было изготавливать чипы по техпроцессам с высоким разрешением, необходим далеко не только литограф, а еще десятки других установок, входящий в цепочку, формирующую полупроводниковые структуры на пластине, и подходящие материалы. Главное преимущество российской технологии — способ формирования лучей: вместо сложных схем расщепления одного луча с большим количеством зеркал и оптических затворов (как в зарубежных аналогах) установка создаёт множество независимых источников электронов на единой подложке. Это упрощает конструкцию, снижает энергопотребление и стоимость оборудования. По оценкам разработчиков первый опытный образец литографа может быть создан в России примерно через 3 года. На ключевой вопрос – какие техпроцессы доступны с помощью такого литографа – ответить непросто. Это зависит от многих факторов. Даже если катод позволяет формировать множество очень узких лучей, которыми можно управлять с высокой точностью, разрешающая способность установки будет зависеть и от ряда других факторов, например, от качества фоторезистов. Технология потенциально может использоваться для производства микросхем с нормами от 350 нм до нескольких нанометров, но конкретный диапазон станет ясен только после появления работающего прототипа. ||