Маленький шаг для ФИЦ ПХФ и МХ РАН, важный этап для микроэлектроники (продолжение)
Маленький шаг для ФИЦ ПХФ и МХ РАН, важный этап для микроэлектроники (продолжение) Синтез и очистка компонентов фоторезистов Александр Аккуратов представил технологии получения компонентов фоторезистов для глубокой ультрафиолетовой литографии. Ученые работают с фотогенераторами кислоты и функциональными мономерами для полимерной основы фоторезиста. Работа ведется в рамках трех проектов РНФ. Образцы компонентов передали АО «НИИМЭ» и ООО «Поликетон» для оценки качества и пригодности. Илья Кузнецов представил метод синтеза диарилиодониевых солей для фоторезистов, чувствительных к свету с длиной волны 248 нм. Метод основан на доступных реагентах и опробован в реакторе. Исследование показало, что более сильное поглощение света не всегда означает более эффективную генерацию кислоты. При выборе компонента нужно учитывать оба показателя. Ученые также отрабатывают синтез в пилотных реакторах, учитывая тепловые эффекты реакций, устойчивость промежуточных соединений, безопасность, очистку продуктов и утилизацию отходов. Отдельная задача — снизить содержание следовых примесей металлов. ПАВ для безметального проявителя Александр Тарасов представил добавку для безметального проявителя, разработанную совместно с АО «НИИМЭ». Поверхностно-активное вещество снижает поверхностное натяжение и помогает сохранить тонкие линии рисунка при сушке. Проявитель с отечественным ПАВ проверили на рабочих пластинах АО «Микрон» при формировании маски для технологических норм от 180 до 90 нм. Результаты оказались сопоставимыми с результатами проявителя на импортной добавке. Отклонений контролируемых параметров не наблюдалось. Процесс масштабировали до производительности более 10 кг в год, опытная партия прошла приемочные испытания. Работа выполнена при поддержке РНФ. Моделирование материалов и процессов литографии Игорь Кравченко представил модель машинного обучения, прогнозирующую температуру стеклования двухкомпонентных сополимеров. Созданная на ее основе программа предлагает соотношение мономеров и молекулярную массу полимера для заданной температуры. Средняя абсолютная ошибка прогноза не превысила 5,2 °C. Свойства предложенных полимеров еще предстоит измерить после синтеза. Также была представлена модель заполнения полостей штампа при наноимпринтной литографии. На примере ПММА показано, что при скорости движения штампа 100 нм/с скольжение полимера вдоль стенок снижало давление в нем до пяти раз по сравнению с условием прилипания. Прогнозы модели еще предстоит проверить на реальных образцах. Самое главное За результатами стоят идеи, гипотезы, эксперименты и испытания, которые сотрудники Центра проводят вместе с предприятиями. Благодаря этой работе разработки ФИЦ ПХФ и МХ РАН постепенно переходят от лабораторных образцов к производству и практическому применению. Характеристики материалов и контакты для сотрудничества приведены в каталоге материалов и технологий ФИЦ ПХФ и МХ РАН.