Результаты исследования полупроводниковых материалов ЮНЦ РАН представлены на международ...
Результаты исследования полупроводниковых материалов ЮНЦ РАН представлены на международной конференции «PhysicA.SPb/2026» в Санкт-Петербурге Мероприятие объединило более 300 участников из различных регионов России, а также около 50 исследователей из США, Великобритании, Франции, Италии, Сербии, Норвегии, Армении, Азербайджана, Беларуси, Казахстана, Южной Африки и Китая. Организаторы — ФТИ им. А. Ф. Иоффе и Академический университет им. Ж. И. Алфёрова. Тематика форума охватывала широкий спектр направлений современной физики — от астрофизики и физики плазмы до физики твёрдого тела, полупроводников и биофизики. Ведущий научный сотрудник лаборатории физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур для СВЧ-электроники и фотоники ЮНЦ РАН, к.ф.-м.н. Александр Пащенко: «Мы представили на конференции стендовый доклад "Комбинационное рассеяние света в тонких плёнках GaInAsBi на подложке GaAs". Работа выполнена в рамках государственного задания и посвящена исследованию тонких плёнок перспективного полупроводникового материала GaInAsBi. Твёрдые растворы на основе соединений III–V–Bi рассматриваются как перспективные материалы для создания оптоэлектронных приборов инфракрасного диапазона. Эти материалы относятся к классу сильно рассогласованных сплавов (Highly Mismatched Alloys, HMA), электронные и оптические свойства которых могут существенно изменяться при варьировании состава. При этом механизмы встраивания висмута в кристаллическую решётку и особенности его локального распределения требуют дальнейшего изучения. Целью работы стало выращивание твёрдого раствора GaInAsBi на подложке GaAs (001) методом импульсного лазерного напыления и комплексное исследование его локальной структуры. Совместное применение методов просвечивающей электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) позволило исследовать структурные особенности тонких плёнок GaInAsBi и особенности встраивания висмута в материал. На особенности локального окружения атомов висмута указывает, в частности, обнаружение GaBi-подобных поперечных (TO) и продольных (LO) колебательных мод. Участие в конференции стало возможностью не только представить результаты исследования специалистам, но и получить профессиональную обратную связь, но и обсудить дальнейшие направления работы и обменяться опытом с коллегами, внёсшими значительный вклад вразвитие физики полупроводников. Полученные результаты вызвали обсуждение среди участников конференции. Особый интерес к работе проявил председатель Программного комитета конференции, д.ф-м.н., профессор Никита Сергеевич Аверкиев. В ходе обсуждения он рекомендовал представить расширенные результаты на XXXII Симпозиуме "Нанофизика и наноэлектроника" в марте 2027 года в Нижнем Новгороде». На фото: к.ф.-м.н. Александр Пащенко (ЮНЦ РАН) и д.ф.-м.н., профессор Никита Аверкиев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе) Статья по материалам исследования принята к публикации в журнале «Физика и техника полупроводников» (ФТП) в шестом номере журнала.