Samsung показала zHBM как следующий шаг в памяти для ИИ-ускорителей
Samsung показала zHBM как следующий шаг в памяти для ИИ-ускорителей На FMS 2026 Samsung показала дорожную карту памяти для ИИ-инфраструктуры и концепт zHBM. Главная идея здесь проста: DRAM размещается прямо над вычислительным модулем, чтобы сократить путь передачи данных и убрать 2.5D-интерпозер. По описанию Samsung, zHBM идет дальше текущей схемы HBM с C-die и B-die. Компания уже использует 4-нм процесс на базовом кристалле HBM4, а для следующего этапа развивает CHBM, где в B-die расширяются функции, включая контроллер памяти и часть вычислительных блоков. Для zHBM отдельно заявлены WoW и HCB, чтобы добиться очень высокой плотности соединений и более единого SoC-DRAM-дизайна. Практический смысл для ИИ-ускорителей понятен: Samsung заявляет снижение энергопотребления на 70% и рост пропускной способности на 230% относительно HBM4E, а также экономию до 100 Вт на модуль DRAM и высвобождение 8,3% power budget. Но это пока дорожная карта и концепт: в тексте нет данных о массовом производстве, поставках или независимой проверке цифр. Если вы следите за HBM и упаковкой чипов, zHBM стоит рассматривать как ориентир направления, а не готовый продукт. Имеет смысл сравнивать именно архитектурные шаги и ждать подтверждений по производству и реальным измерениям.