Технологию способа очистки нанодисперсного диоксида кремния запатентовали в России
Технологию способа очистки нанодисперсного диоксида кремния запатентовали в России Учёные научно-исследовательской лаборатории инженерной химии НИИ химии Университета Лобачевского запатентовали способ глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния (SiO2) для микроэлектроники, а также разработали подход к комплексному управлению свойствами этих наночастиц Разработка позволяет получать частицы с заданным размером и формой, высокой однородностью, стабильностью и низким содержанием примесей — именно теми характеристиками, которые определяют возможность их использования в производстве микросхем «Наше изобретение относится к области очистки аморфного диоксида кремния, синтезированного методом Штобера, и предназначено для использования в химико-механической полировке (ХМП) полупроводниковых пластин, а также в процессах, требующих высокочистых абразивных наноматериалов», — объяснила руководитель исследования, кандидат химических наук, научный сотрудник научно-исследовательской лаборатории инженерной химии НИИ химии ННГУ Ксения Отвагина Работа ведётся в рамках проекта по разработке полировальных суспензий для микроэлектроники. Учёными ННГУ им. Н.И. Лобачевского разработаны технологическая линия и регламент получения продукта, благодаря чему создана устойчивая суспензия, которая направлена на апробацию индустриальному партнёру Полирующие суспензии обеспечивают прецизионную обработку поверхности с точностью до субнанометров и играют ключевую роль в ХМП-процессах. В условиях ограничений поставок сформировалась критическая потребность в разработке отечественных аналогов, сопоставимых по характеристикам с зарубежными продуктами 📸 Официальный сайт Университета Лобачевского Макс | Телеграм