Advanced non-contact Raman/spectrophotometric deciphering of structural processes in su... — 1 июня 2026 г. в 11:19:01.148
Advanced non-contact Raman/spectrophotometric deciphering of structural processes in sulfur-implanted/laser-annealed silicon #ИУ4, #РЛ2 Kudryashov, S.I. — д.ф.-м.н., доцент, ведущий научный сотрудник Kovalev, M.S. — к.т.н., доцент Shakhnov, V.A. — д.т.н., профессор, заведующий кафедрой Dolzhenko, N.I. — лаборант-исследователь и др. 🌸 Materials Science in Semiconductor Processing 🌸 Топ 25 % по SNIP 🌸 doi.org/10.1016/j.mssp.2025.110333 ➡️ Статья посвящена бесконтактному исследованию структурных процессов в субмикронных поверхностных слоях кремния, легированного серой (концентрации 10¹⁸–10²¹ см⁻³) и отожжённого наносекундным лазером. Впервые одновременно измерены локальные гидростатические напряжения и размеры нанозёрен с помощью комбинации раман-спектроскопии и спектроскопии пропускания в ближней ИК-области. Установлено, что при низких концентрациях серы (10¹⁸–10¹⁹ см⁻³) в слоях возникают растягивающие напряжения, а при высоких (10²⁰–10²¹ см⁻³) — сжимающие, что проявляется в соответствующих сдвигах края косвенного поглощения. С учётом поправки на напряжения из раман-спектров определены размеры нанозёрен, хорошо согласующиеся со значениями длины свободного пробега носителей заряда, полученными методом Холла. Предложенный подход обеспечивает неразрушающую диагностику напряжений, наноструктуры и транспортных свойств гипердопированных слоёв кремния #исследовательская_статья #Raman_spectroscopy #silicon #laser_annealing #ion_implantation #hydrostatic_stress #nanograins #semiconductor #hyperdoping #near_IR_spectroscopy Научные публикации | Бауманка