Ученые ДВФУ вместе с китайскими коллегами сделали шаг к созданию сверхбыстрой энергонез... — 6 июля 2026 г. в 10:18:56.299
Ученые ДВФУ вместе с китайскими коллегами сделали шаг к созданию сверхбыстрой энергонезависимой памяти нового поколения — SOT‑MRAM 💻 Она записывает данные в десятки раз быстрее флеш‑накопителей, потребляет меньше энергии и не теряет информацию при отключении питания. Раньше для работы таких ячеек требовалось внешнее магнитное поле, что усложняло конструкцию. Российские физики нашли способ обойтись без него, применив структуру из двух магнитных слоев и сверхтонкой прослойки вольфрама толщиной в 1 нанометр. Эта прослойка генерирует спиновый ток, а особая конфигурация слоёв создает внутреннее поле, заменяющее внешний магнит. Устройства станут проще, дешевле и надежнее. Все научные открытия возможны благодаря постоянно развивающейся инфраструктуре кампуса ДВФУ. В 2024 году вуз вошел в число участников проекта по созданию сети современных кампусов в рамках национального проекта «Молодёжь и дети». #наукаэтомодно #молодёжьидети #нацпроектмолодёжьидети ⚛️🔭 Наука — это модно!