SanDisk запатентовала установку процессора на пластину NAND с использованием стеков HBM... — 22 июня 2026 г. в 09:01:45.782
SanDisk запатентовала установку процессора на пластину NAND с использованием стеков HBM на общем межкомпонентном соединении Согласно патенту в предлагаемой конструкции многоядерный процессор интегрирован непосредственно в модуль памяти CBA (CMOS Bonded to Array), который представляет собой сочетание большой флэш-памяти NAND с логическим слоем CMOS. Затем интегрированный стек монтируется на промежуточном слое, а вокруг одной или нескольких сторон объединенного стека устанавливаются полупроводниковые пластины HBM. По мнению TrendForce, решение SanDisk отчасти обусловлено присущими HBM ограничениями, в частности относительно небольшой емкостью, а также проблемами, которые еще предстоит решить в HBF, включая задержку, энергоэффективность и сложность интеграции на системном уровне. Чтобы преодолеть ограничения по объему памяти, компания SanDisk ранее представила архитектуру HBF, в которой используется та же концепция, что и в HBM: несколько слоев флэш-памяти NAND располагаются вертикально и соединяются сквозными кремниевыми переходами (TSV) в единый стек памяти. В то время как современные решения на базе HBM обычно предлагают 32–64 ГБ на стек, HBF рассчитан на значительно больший объем — до 4 ТБ. По данным SanDisk, HBF практически не уступает HBM по пропускной способности, но при этом в 8–16 раз превосходит его по объему при схожей стоимости. Однако, несмотря на то, что NAND-память обеспечивает более высокую емкость при меньшей стоимости, она расположена дальше от вычислительного кристалла, что приводит к более медленному доступу к данным по сравнению с архитектурами на основе DRAM. В ответ на это в последнем патенте SanDisk, о котором говорится в отчете, предлагается конструкция с трехмерным стекированием, в которой флеш-память NAND, изготовленная по технологии CBA, располагается под вычислительным модулем, например ускорителем искусственного интеллекта или графическим процессором. При такой конфигурации HBM DRAM по-прежнему будет интегрирована в тот же межкомпонентный узел, но будет выполнять отдельную функцию в общей иерархии памяти и вычислительных ресурсов. Как отмечается в отчете, такая архитектура позволяет HBM выполнять быстрые операции с памятью, в то время как слой флэш-памяти NAND в модуле памяти используется для ресурсоемких операций чтения и записи, а также для хранения больших объемов данных. #новостиэлектроники