Многослойные транзисторы будущего — 26 июня 2026 г. в 15:32:09.482
Многослойные транзисторы будущего Производители микросхем сходятся во мнении, что транзистор следующего десятилетия на самом деле будет состоять из двух транзисторов, наложенных друг на друга, что позволит использовать гораздо больше устройств на одном участке чипа и приведет к созданию схем, которые будут вдвое меньше современных. На направления их разработок разные. Коммерческое внедрение, скорее всего, произойдет не раньше чем через шесть лет, так что до финальной версии еще далеко, но исследования, представленные на прошлой неделе на Симпозиуме IEEE по сверхбольшим интегральным схемам в Гонолулу и подробно описанные IBM, указывают на два основных пути развития. Хотя у разных компаний он называется по-разному, в научных исследованиях это устройство будущего принято называть CFET, комплементарных полевой транзистор. Он состоит из двух типов транзисторов: p-канального и n-канального полевых транзисторов (PFET и NFET), которые составляют комплементарную структуру металл-оксид-полупроводник (CMOS), и представляет собой их стопку, а не параллельное расположение. В частности, в нем используется тип транзистора, который появился совсем недавно, — нанолистовой транзистор с изолированным затвором. Эта архитектура сама по себе содержит стопку кремниевых пластин толщиной в нанометр, через которые проходит ток. Они окружены слоем изоляции толщиной в несколько атомов и тщательно подобранной смесью металлов, которая в совокупности называется стопкой затворов. Устройство дополнено кристаллическими кремниевыми пластинами на каждом конце — истоком и стоком. Для создания кремниевых на кристалле Iniel, Samsung и TSMC используют схему, называемую монолитным процессом. По сути, это означает, что они создают верхнее и нижнее устройства одновременно, одно прямо над другим. IBM, напротив, придерживается схемы, которую обычно называют последовательным процессом, поскольку сначала создается полный слой транзисторов, а затем над ним — еще один слой. Более того, согласно планам IBM, транзисторная пара должна располагаться не в ряд, как при монолитном производстве, а со смещением. Производители чипов, особенно IBM, ожидают больших выгод от технологии кремниевых нанометровых эпитаксиальных структур. Компания, которая не производит собственные чипы, а разрабатывает процессы производства чипов для других, заявляет, что ее версия этой технологии под названием Nanostack обеспечит прирост производительности на 50%, повышение эффективности на 70% и уменьшение объема памяти компьютерного чипа на 40% по сравнению с современными чипами, изготовленными по 2-нанометровому техпроцессу. Nanostack — это «не просто разовая инновация», — говорит Хуэймин Бу, вице-президент IBM Semiconductors по глобальным исследованиям и разработкам. — Это новая транзисторная платформа, которая открывает путь для множества инноваций». Подробнее: https://russianelectronics.ru/mnogoslojnye-tranzistory-budushhego/ #новостиэлектроники