Разработана новая технология производства полупроводников на основе атомно-слоевого оса... — 28 июля 2026 г. в 14:28:20.091
Разработана новая технология производства полупроводников на основе атомно-слоевого осаждения Исследовательская группа факультета химической и биомолекулярной инженерии Корейского института передовых технологий в сотрудничестве с Университетом Ханьян и Университетом Райса в США разработала новую технологию производства полупроводников на основе атомно-слоевого осаждения (Atomic Layer Deposition, ALD). ALD — это процесс тонкопленочного осаждения, при котором полупроводниковые прекурсоры подаются последовательно, что позволяет осаждать однородные тонкие пленки с контролем толщины на атомном уровне. Статья опубликована в Science Advances. Исследователи сосредоточились на ван-дер-ваальсовых материалах. Эти двумерные полупроводниковые материалы состоят из множества атомных слоев, удерживаемых вместе слабыми межслойными силами, что позволяет разделять их на листы толщиной с бумагу. Поскольку ван-дер-ваальсовы материалы можно свободно укладывать друг на друга, они привлекают внимание как ключевые строительные блоки для чипов искусственного интеллекта следующего поколения и полупроводниковых устройств со сверхнизким энергопотреблением. Ученые разработали новый метод, который позволяет прекурсорам, содержащим теллур (Te) — молекулярным строительным блокам, используемым для изготовления полупроводников, — свободно перемещаться по поверхности, находить наиболее энергетически стабильные позиции и образовывать тонкую пленку. Теллур привлекает внимание как ключевой материал для полупроводников и оптоэлектронных устройств следующего поколения, включая фотодетекторы и светоизлучающие диоды (LED), поскольку он сочетает в себе сильно зависящую от направления электропроводность с превосходными свойствами управления светом. Используя этот подход, исследовательская группа добилась равномерного эпитаксиального роста теллура в одном направлении на ван-дер-ваальсовых материалах — двумерных полупроводниковых материалах нового поколения, состоящих из множества атомно-тонких слоев, уложенных друг на друга, как листы бумаги, — при низкой температуре 150 °C (302 °F) с помощью атомно-слоевого осаждения. При эпитаксиальном росте новая полупроводниковая плёнка упорядоченно наращивается в соответствии с атомным строением нижележащего кристалла, что позволяет создавать высококачественные полупроводниковые плёнки. Этот процесс можно сравнить со складыванием кирпичей в ряд в одном направлении, а не в произвольном порядке, что может улучшить электропроводность и повысить характеристики полупроводников. Исследователи также подтвердили, что эту технологию можно применять к целому ряду ван-дер-ваальсовых материалов, включая диселенид вольфрама (WSe2), дисульфид молибдена (MoS2), диселенид рения (ReSe2) и слюду. Это доказывает, что метод применим не только к одному материалу, но и может использоваться с различными полупроводниковыми материалами следующего поколения. #новостиэлектроники