SK hynix и SanDisk представили стандарт флэш-памяти с высокой пропускной способностью HBF — 4 августа 2026 г. в 05:35:31.694
SK hynix и SanDisk представили стандарт флэш-памяти с высокой пропускной способностью HBF Первая спецификация поддерживает емкость до 512 ГБ с использованием конфигураций стеков NAND с 8 и 16 уровнями пропускной способности (класс 1-3), обеспечивающих примерно от 0,4 до 3,0 ТБ / с. Спецификация, представленная в рамках проекта Open Compute Project (OCP), использует стандартный для отрасли межкомпонентный интерфейс UCIe, что позволяет интегрировать HBF с широким спектром процессоров, включая графические и центральные процессоры. Кроме того, в спецификации определены интерфейсные и электрические характеристики, надежность и рекомендации по компоновке кристаллов HBF, а также требования к программному вводу-выводу, сообщили в SK hynix В отличие от HBM, в котором кристаллы DRAM располагаются друг над другом для максимальной пропускной способности, в HBF кристаллы флэш-памяти NAND располагаются друг над другом, образуя новый уровень памяти между HBM и твердотельными накопителями. По мнению TrendForce, HBF — это скорее дополнительная, а не конкурирующая технология, которая может решить проблему высокой стоимости и ограниченной пропускной способности HBM. Хотя NVIDIA пока не объявила о каких-либо планах по внедрению этой технологии, в отрасли в целом преобладают позитивные настроения. Интерес со стороны таких лидеров отрасли, как Google и Tenstorrent, свидетельствует о готовности рассмотреть возможность внедрения HBF, хотя конкретные сценарии использования пока не определены. В долгосрочной перспективе архитектура, скорее всего, будет сочетать HBM для сверхбыстрых вычислений и HBF для хранения данных высокой плотности, создавая гибридную иерархию памяти, которая может стать ключевым фактором для масштабной коммерциализации искусственного интеллекта. #новостиэлектроники