Российский федеральный ядерный центр ВНИИЭФ разработает автоматизированную установку жи... — 3 августа 2026 г. в 16:29:41.062
Российский федеральный ядерный центр ВНИИЭФ разработает автоматизированную установку жидкостного химического травления полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм. Оборудование должно заменить американские и японские системы Речь идет о создании автоматизированной установки спрейного жидкостного химического травления полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм. Оборудование предназначено для химического травления, очистки, промывки и сушки пластин в составе серийных технологических маршрутов микроэлектроники. Функциональными аналогами выступают американские установки Shellback Torrent / Siconnex BATCHSPRAY, Shellback MERCURY+, а также японская Tokyo Electron ZETA+ 200. Прямых отечественных аналогов не существует. Установка должна обеспечивать обработку до 100 пластин за цикл (до 4 кассет), работу с химическими реагентами (HF, H₂SO₄, H₂O₂, HCl, NH₄OH) при температуре до 160°C, а также обеспечивать автоматическую загрузку и выгрузку пластин с использованием SMIF-загрузчика. Требуемая равномерность травления по пластине — не более 5%. Наработка на отказ — не менее 2000 часов, срок службы — не менее 7 лет. Критические комплектующие: герметичная процессная камера, ротор, кассетный модуль, узлы спрей-системы подачи реагентов, системы подачи химии, вентиляции и газоочистки, центральный контроллер и программное обеспечение — должны быть отечественного производства. Применение импортных комплектующих допускается только по согласованию с заказчиком. Подробнее: https://www.cnews.ru/news/top/2026-07-22_sozdatel_atomnoj_bomby