Микро в схему: в РФ создали технологию производства компонентов сверхкомпактных чипов — 31 июля 2026 г. в 10:19:08.117
Микро в схему: в РФ создали технологию производства компонентов сверхкомпактных чипов Специалисты МФТИ первыми в России предложили методику создания транзисторов из дисульфида молибдена, которые можно внедрить в промышленное производство. Этот материал сможет заменить применяемый сейчас в электронике кремний, чипы из которого достигли предела компактности, и снижать далее их размеры нельзя даже теоретически. Молибденовый транзистор будет как минимум втрое меньше своего кремниевого аналога и в несколько сотен раз энергоэффективнее. При этом устройства из него совместимы с классическими вычислительными системами. Сегодня основным материалом для производства электронной компонентной базы остается кремний. Однако возможности его дальнейшей миниатюризации практически исчерпаны: при уменьшении размеров транзисторов начинают проявляться квантовые эффекты, возрастают утечки тока и тепловыделение, что ограничивает дальнейший рост производительности. В поисках альтернативы специалисты по всему миру исследуют новые материалы. Одним из наиболее перспективных считается дисульфид молибдена — двумерный полупроводник толщиной всего в несколько атомов. Лабораторные исследования в этой области активно ведутся в США и Европе, а в Китае в начале года сообщили о запуске первой экспериментальной линии по производству процессоров на основе этого материала. Структура на основе дисульфида молибдена обеспечивает идеальный электростатический контроль и позволяет подавить токи утечки. Однако ее практическому применению долгое время препятствовала одна из ключевых технологических проблем: при вакуумном напылении металлических электродов хрупкая структура материала повреждается. Атомы металла выбивают атомы серы с поверхности, образуя дефекты и нарушая электрический контакт. Ученые МФТИ предложили решение этой проблемы. Они сформировали между электродом и полупроводником ультратонкую изолирующую прослойку из диоксида титана толщиной всего в несколько атомов, используя метод атомно-слоевого осаждения. Этот подход универсален и применим к целому классу других двумерных материалов — дисульфиду вольфрама, селенидам молибдена и вольфрама. Его можно внедрять на реальных производствах без радикальной перестройки процессов, так как атомно-слоевое осаждение давно освоено промышленностью. Технология в перспективе позволит создавать транзисторы компактнее самых передовых современных кремниевых аналогов, а также гибкие и прозрачные электронные устройства. Подробнее: https://iz.ru/2141209/denis-gritcenko/v-rf-sozdali-tekhnologiyu-proizvodstva-komponentov-sverhkompaktnyh-chipov #новостиэлектроники