Российские исследователи решили проблему интеграции нитрид-галлиевых светодиодов с крем...
Российские исследователи решили проблему интеграции нитрид-галлиевых светодиодов с кремниевыми чипами В Санкт-Петербургском государственном университете вместе с коллегами из других научных институтов сделали важный шаг в полупроводниковой технике. Им впервые удалось заставить крошечные кристаллы из нитрида галлия расти на кремниевой пластине не как попало, а строго вертикально. Секрет оказался в особом пористом слое, который создали на поверхности кремния. Этот трюк не только выпрямляет нанокристаллы, но и заметно улучшает их структуру и оптические свойства, а главное — решает давнюю головную боль инженеров, связанную с их наклонным ростом. Работу провели при поддержке госгранта Министерства науки и высшего образования, а все подробности опубликовали в журнале Materials Science in Semiconductor Processing. https://innovanews.ru/info/news/nano/rossyskie-issledovateli-reshili-problemu-integraczii-nitrid-gallievyx-svetodiodov-s-kremnievymi-chipami/