Российские физики разработали первый в стране транзистор из дисульфида молибдена. Матер...
Российские физики разработали первый в стране транзистор из дисульфида молибдена. Материал толщиной в несколько атомов позволяет делать чипы гораздо компактнее и экономичнее кремниевых. «Дисульфид молибдена преодолевает ограничения кремния по толщине примерно с 2 нм до 0,65 нм, а выигрыш в энергоэффективности может быть в сотни раз», — пояснил старший научный сотрудник центра фотоники и двумерных материалов МФТИ Илья Завидовский. По его словам, нагрев устройств снижается на порядки. Главной проблемой была хрупкость такого тонкого слоя: при напылении металлических контактов атомы разрушали его структуру. Учёные нашли выход, применив метод атомно-слоевого осаждения, который уже используют в промышленности. Между электродом и полупроводником они поместили ультратонкую изолирующую прослойку из диоксида титана в несколько атомных слоёв, сохранив целостность основного материала. «Наша работа даёт конкретный ответ, как подключить металл к материалу толщиной в атом, не повредив его», — отметил старший научный сотрудник лаборатории атомно-слоевого осаждения МФТИ Роман Романов. Этот подход универсален: его можно применять к другим двумерным материалам, например дисульфиду вольфрама или селенидам молибдена и вольфрама. Технология открывает путь к гибкой и прозрачной электронике нового поколения.